| 发明名称 | MOS晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种MOS晶体管及其制作方法，该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在栅极结构两侧的半导体衬底上形成侧墙；在所述栅极结构和侧墙两侧的半导体衬底内形成源/漏区；在所述源/漏区的底部形成源/漏反型区，所述源/漏反型区的掺杂离子的导电类型与所述源/漏区的掺杂离子的导电类型相反；进行退火，激活所述源/漏区和源/漏反型区的掺杂离子。本发明的方法制作更适合超浅结制作工艺，减小了MOS晶体管的结电容和结漏电流，提高了晶体管应用与系统时系统的响应速度，降低了系统的功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN102446763A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201010508935.2 | 申请日期 | 2010.10.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在栅极结构两侧的半导体衬底上形成侧墙；在所述栅极结构和侧墙两侧的半导体衬底内形成源/漏区；在所述源/漏区的底部形成源/漏反型区，所述源/漏反型区的掺杂离子的导电类型与所述源/漏区的掺杂离子的导电类型相反；进行退火，激活所述源/漏区和源/漏反型区的掺杂离子。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||