增益自举型C类反向器及其应用电路

摘要

本发明公开了一种增益自举型C类反向器及其应用电路。该增益自举型C类反向器是在现有技术的C类反向器32的基础上，增加微功耗的增益自举模块30、31和体电位调制模块33、34。增益自举模块30和31在不明显损失输出摆幅和增加电路功耗的情况下极大地提高C类反向器的稳态增益，进而提高基于增益自举型C类反向器的伪差分结构开关电容积分器的积分精度，以及模数转换器的模数转换精度，拓宽了C类反向器的应用范围；体电位调制模块33和34使整个反向器的稳态特性(增益、带宽、静态功耗等)和动态特性(摆率、建立时间、动态功耗等)在不同工艺角情况下较为一致，在不明显增加功耗的情况极大地提高增益自举型C类反向器应用电路的稳定性和鲁棒性。

主权项

一种增益自举型C类反向器，它包括C类反向器(32)采用共源共栅结构，用于实现运算放大功能；其特征在于：它还包括第一增益自举模块(30)，用于和第二PMOS管M3一起形成增益自举结构；第二增益自举模块(31)，用于和第二NMOS管M4一起形成增益自举结构；PMOS体电位调制模块(33)，用于第一PMOS管M1的体电位调制，所述的PMOS体电位调制模块(33)由第三PMOS管M5和电阻R1组成，其中第三PMOS管M5与第一PMOS管M1版图匹配对称，宽长比成固定比例，且第三PMOS管M5上施加的栅源电压与第一PMOS管M1在稳态时的栅源偏置电压相同；第三PMOS管M5的源端和体端均接第二参考电平VDDH，第三PMOS管M5的漏端与第一PMOS管M1的体端相连，第三PMOS管M5的漏端同时与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端接第三参考电平VDDL；电阻R1将第三PMOS管M5的漏源电流转换为所述的PMOS体电位调制模块(33)的输出电压信号VBP，并将输出电压信号VBP反馈到第一PMOS管M1体端，用以体电位调制，第三PMOS管M5源端电位决定第一PMOS管M1体电位调制范围的最大值，电阻R1另一端电平决定第一PMOS管M1体电位调制范围的最小值；NMOS体电位调制模块(34)，用于第一NMOS管M2的体电位调制，所述的NMOS体电位调制模块(34)由第三NMOS管M6和电阻R2组成，其中第三NMOS管M6与第一NMOS管M2版图匹配对称，宽长比成固定比例，且第三NMOS管M6上施加的栅源电压与第一NMOS管M2在稳态时的栅源偏置电压相同；第三NMOS管M6的源端和体端均接第二参考地GNDL，第三NMOS管M6的漏端与第一NMOS管M2的体端相连，第三NMOS管M6的漏端同时连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端接第三参考地GNDH；电阻R2将第三NMOS管M6的漏源电流转换为所述的NMOS体电位调制模块(34)的输出电压信号VBN并反馈到第一NMOS管M2体端，第三NMOS管M6源端电位决定第一NMOS管M2体电位调制范围的最大值，电阻R2另一端电平决定第一NMOS管M2体电位调制范围的最小值。