发明名称 |
圆片级封装结构及其封装方法 |
摘要 |
本发明涉及一种圆片级封装结构及其封装方法,包括圆片(5),所述圆片(5)包括金属层压区(1),其特征在于在所述圆片(5)的金属层压区(1)的位置植入有下层导电金属物质(2),在所述圆片(5)和下层导电金属物质(2)上涂布含或不含填充物质的粘结物质(3),在所述含或不含填充物质的粘结物质(3)中的下层导电金属物质(2)之上方开有孔(6),在所述含或不含填充物质的粘结物质(3)的开孔处植入有上层可熔接的金属物质(4),该上层可熔接的金属物质(4)与所述下层导电金属物质(2)相互稼接。本发明圆片级封装结构及其封装方法成本更低、生产工艺流程更短以及生产品质更高。 |
申请公布号 |
CN101771014B |
申请公布日期 |
2012.05.09 |
申请号 |
CN201010003023.X |
申请日期 |
2010.01.01 |
申请人 |
江苏长电科技股份有限公司 |
发明人 |
王新潮;梁志忠 |
分类号 |
H01L23/482(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/482(2006.01)I |
代理机构 |
江阴市同盛专利事务所 32210 |
代理人 |
唐纫兰 |
主权项 |
一种圆片级封装结构,包括圆片(5),所述圆片(5)包括金属层压区(1),其特征在于在所述圆片(5)的金属层压区(1)的位置植入有下层导电金属物质(2),在所述圆片(5)和下层导电金属物质(2)上涂布含或不含填充物质的粘结物质(3),在所述含或不含填充物质的粘结物质(3)中的下层导电金属物质(2)之上方开有孔(6),在所述含或不含填充物质的粘结物质(3)的开孔处植入有上层可熔接的金属物质(4),该上层可熔接的金属物质(4)与所述下层导电金属物质(2)相互稼接。 |
地址 |
214434 江苏省江阴市开发区滨江中路275号 |