含硅和碳的阻挡层的卷到卷等离子体增强化学气相沉积方法

摘要

本发明提供在挠性基材上形成阻挡层的方法和工艺。连续卷到卷法包括使用至少一个构造成引导基材穿过处理室的辊向处理室提供基材。该工艺包括通过使在处理室内的基材的至少一部分暴露于包含含硅和碳的前体气体的等离子体而邻近该基材沉积阻挡层。本发明进一步涉及包含基于结构单元SiC：H的阻挡层的涂布挠性基材。该阻挡层具有高密度和低孔隙率。此外，该阻挡层显示出10-2-10-3g.m-2d-1的低水蒸气透过率(WVTR)并且适合很低渗透性的应用。

主权项

一种方法，其包括：使用至少两个构造成引导基材的第一部分和第二部分穿过处理室的辊向处理室提供基材；在所述辊和室壁之间建立电压差；向处理室提供一种或多种气体，所述气体包括含硅和碳的前体；离子化所述气体以形成等离子体；使基材的第一部分暴露于靠近处理室的第一侧的等离子体和该基材的第二部分同时暴露于靠近处理室的第二侧的等离子体；和邻近该基材的第一部分和第二部分沉积阻挡层。