发明名称 |
闪存装置和用于该闪存装置的编程方法 |
摘要 |
提供了一种闪存装置以及对该装置的编程方法。该闪存装置包括多个存储多位数据的存储单元,该多位数据表示第一状态到第四状态中的至少一种并且包括最高有效位和最低有效位。该方法包括根据最低有效位将多个存储单元编程为临时状态,以及根据最高有效位将多个存储单元从第一状态和临时状态编程为第二状态到第四状态。将多个存储单元编程为第二状态到第四状态包括在一个编程操作周期期间将多个存储单元至少部分地同时编程为至少两种状态。 |
申请公布号 |
CN101197189B |
申请公布日期 |
2012.05.09 |
申请号 |
CN200710305187.6 |
申请日期 |
2007.09.17 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
姜相求;林瀛湖 |
分类号 |
G11C16/10(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
邵亚丽 |
主权项 |
一种对包括多个存储单元的闪存装置编程的方法,多个存储单元的每一个存储多位数据,该多位数据表示第一状态到第四状态中的一种,并且包括最高有效位和最低有效位,该方法包括:根据最低有效位将选择的存储单元编程为临时状态;以及根据最高有效位,将多个存储单元的未编程为临时状态的部分从第一状态同时编程为第二状态到第四状态之一,并且将多个存储单元的已编程为临时状态的部分从临时状态同时编程为第二状态到第四状态之一,其中分别与第一状态、第二状态、第三状态和第四状态对应的阈值电压电平依次增大,以及与临时状态对应的阈值电压电平高于与第二状态对应的阈值电压电平但是低于与第三状态对应的阈值电压电平。 |
地址 |
韩国京畿道 |