发明名称 |
具有高填充系数像素的图像传感器及形成图像传感器的方法 |
摘要 |
一种图像传感器,包括:衬底中的光电转换元件的阵列,该光电转换元件被设置在分别在第一方向和第二方向中延伸的行和列中;衬底中的多个第一结隔离区,每个隔离公共行的相邻光电转换元件的侧部,以及衬底中的多个第二结隔离区,每个隔离公共列的相邻光电转换元件的侧部;以及衬底中的多个介质隔离区,每个隔离相邻光电转换元件的拐角部分。在一个实施例中,光电转换元件在第一方向上具有第一间隔,并在第二方向上具有第二间隔,其中对于公共行的光电转换元件来说该第一间隔基本上相同,并且其中对于公共列的光电转换元件来说该第二间隔基本上相同。 |
申请公布号 |
CN101038927B |
申请公布日期 |
2012.05.09 |
申请号 |
CN200710085556.5 |
申请日期 |
2007.03.12 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
李锡河;李德炯;慎宗哲;李康福 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
林宇清;谢丽娜 |
主权项 |
一种图像传感器,包括:衬底中的光电转换元件的阵列,该光电转换元件被设置在分别在第一方向和第二方向中延伸的行和列中;衬底中的多个第一结隔离区,每个隔离公共行的相邻光电转换元件的侧部,以及衬底中的多个第二结隔离区,每个隔离公共列的相邻光电转换元件的侧部;以及衬底中的多个介质隔离区,每个隔离相邻光电转换元件的拐角部分,其中结隔离区包括使用杂质掺杂的衬底的区域,其中介质隔离区包括设置在衬底中的部分介质绝缘材料。 |
地址 |
韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 |