半导体装置以及半导体装置的升压电路的异常诊断方法

摘要

本发明提供能诊断半导体装置具有的升压电路的异常的半导体装置及半导体装置的升压电路的异常诊断方法。具有使升压电路（42）的输入侧与输出侧短路的短路开关（43），升压电路（42）将从电池单元（Vc5）正极侧供给的电源电压VCC升压到能使缓冲放大器（30）内的MOS晶体管在饱和区域驱动的驱动电压VCC1并作为驱动电压供给。在测定电池单元（Vc5）的电压时，在输出电压Vout为异常电压值时，比较将使短路开关（43）为断开状态而由升压电路（42）升压的驱动电压VCC1向缓冲放大器（30）供给所测定的输出电压Vout(swoff)与使短路开关（43）为导通状态而不经由升压电路（42）将电源电压VCC向缓冲放大器（30）供给所测定的输出电压Vout(swon)，诊断升压电路（42）的异常。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有：多个开关元件，分别经由低通滤波器与串联连接的多个电池连接，选择所述串联连接的多个电池的任意一个；第一缓冲放大器，包括由从所述串联连接的多个电池供给的电源电压驱动的晶体管而构成，并且输入由所述开关元件所选择的电池的一端的电压，并且，具有对从所述低通滤波器流到所述开关元件的电流进行限制的大小的输入阻抗；第二缓冲放大器，包括由所述电源电压驱动的晶体管而构成，并且输入由所述开关元件所选择的电池的另一端的电压，并且，具有对从所述低通滤波器流到所述开关元件的电流进行限制的大小的输入阻抗；电平移位器，利用所述电源电压进行驱动，并且，对从所述第一缓冲放大器输出的电压与从所述第二缓冲放大器输出的电压之差进行输出；升压单元，将所述电源电压升压到用于使所述第一缓冲放大器中所含的晶体管以及所述第二缓冲放大器中所含的晶体管在饱和区域动作的电压值；以及短路元件，基于控制信号，使所述升压单元的输入侧和输出侧短路。