发明名称 |
半导体封装件及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种半导体封装件及其制造方法。一种形成具有大容量和减小或最小化的体积的半导体封装件的方法包括以下步骤:利用粘结层将半导体基底附接在支撑基底上,其中,半导体基底包括多个第一半导体芯片和芯片切割区域;在多个第一半导体芯片中的第一个和第二个之间形成具有第一切口宽度的第一切割凹槽,从而将半导体基底分成多个第一半导体芯片;将分别与第一半导体芯片对应的多个第二半导体芯片附接到多个第一半导体芯片;形成模塑层以填充第一切割凹槽;在模塑层中形成具有比第一切口宽度小的第二切口宽度的第二切割凹槽,以将模塑层分成覆盖多个第一半导体芯片中的一个和多个第二半导体芯片中的相应的一个的各个模塑层。 |
申请公布号 |
CN102446863A |
申请公布日期 |
2012.05.09 |
申请号 |
CN201110306691.4 |
申请日期 |
2011.10.08 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
李泽勋;金沅槿;张东铉;宋昊建;任成晙 |
分类号 |
H01L21/98(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/98(2006.01)I |
代理机构 |
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 |
代理人 |
韩明星 |
主权项 |
一种制造半导体封装件的方法,所述方法包括以下步骤:利用粘结层将半导体基底附接在支撑基底上,其中,所述半导体基底包括多个第一半导体芯片和芯片切割区域,其中,所述多个第一半导体芯片中的第一个第一半导体芯片和第二个第一半导体芯片通过所述芯片切割区域彼此分开,所述半导体基底包括其上形成有有源区域的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;在所述多个第一半导体芯片中的第一个第一半导体芯片和第二个第一半导体芯片之间的芯片切割区域中形成具有第一切口宽度的第一切割凹槽,从而将所述半导体基底分成多个第一半导体芯片;将分别与所述多个第一半导体芯片对应的多个第二半导体芯片附接到所述多个第一半导体芯片;形成模塑层,以填充所述第一切割凹槽;以及在所述模塑层中形成具有比所述第一切口宽度小的第二切口宽度的第二切割凹槽,从而将所述模塑层分成覆盖所述多个第一半导体芯片中的一个第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片中的相应的一个第二半导体芯片的各个模塑层。 |
地址 |
韩国京畿道水原市 |