一种提高铝金属层多次曝光稳定性的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种提高铝金属层多次曝光稳定性的方法。本发明一种提高铝金属层多次曝光稳定性的方法，通过去除表面受损的介质阻挡层，并重新生长与原有介质阻挡层性质相同的薄膜，以恢复至初始光刻状态，从而减少在重新光刻时需要重新寻找和设定新参数，降低造成次品的风险，同时也减少了缺陷的产生，提高了工艺稳定性和良率。

主权项

一种提高铝金属层多次曝光稳定性的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：于绝缘介质基底上依次淀积下阻挡层、铝金属层、上阻挡层和第一介质抗反射层后，淀积第一底部抗反射层覆盖第一介质抗反射层并于其上旋涂光刻胶，曝光不合格；步骤S2：灰化、清洗去除光刻胶及第一底部抗反射层，使得第一介质抗反射层性能发生改变，形成变性介质抗反射层；步骤S3：采用高选择比刻蚀去除变性介质抗反射层，且不影响上阻挡层；步骤S4：淀积第二介质抗反射层覆盖上阻挡层，并于其上进行光刻工艺。