发明名称 采用一次性存储代替外置参考电阻的温度补偿方法
摘要 本发明用于模拟电路,采用一次性存储代替外置参考电阻的温度补偿方法,从而免去的片外参考电阻的需要。
申请公布号 CN102446611A 申请公布日期 2012.05.09
申请号 CN201010506107.5 申请日期 2010.10.12
申请人 深圳市浩博光电有限公司 发明人 王健伟
分类号 H01C17/22(2006.01)I;H01C13/00(2006.01)I;H01C1/16(2006.01)I 主分类号 H01C17/22(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种模拟电路用参考电阻的实现方法,采用一次写入存储器(OTP)对片内电阻进行全温度区间的校正,从而免去的片外参考电阻的需要
地址 518107 广东省深圳市光明新区公明长圳第四工业区18号