一种金属互连方法

摘要

本发明提供了一种金属互连方法，在具有第一金属层的第一层间介质上依次沉积氮化硅和第二层间介质后，以所述氮化硅为刻蚀停止层，在所述第二层间介质中第一刻蚀形成通孔，该方法包括，在所述通孔中和所述第二层间介质上涂覆底部抗反射涂层和沉积低温氧化硅层；以光刻后形成的第二光刻图案为掩膜依次第二刻蚀低温氧化硅层和第二层间介质，在第二层间介质中形成沟槽的同时在通孔侧壁上形成聚合物侧墙，第三刻蚀去除所述聚合物侧墙，避免后续灰化去除光刻图案以及过刻蚀去除残留的氮化硅层过程中聚合物侧墙掉落在第一金属层表面，进而在后续填充金属铜步骤后，保证通孔中的金属铜与第一金属层的界面之间的良好接触，降低开路造成的半导体器件失效率。

主权项

一种金属互连方法，在具有第一金属层的第一层间介质上依次沉积氮化硅和第二层间介质后，以所述氮化硅为刻蚀停止层，在所述第二层间介质中第一刻蚀形成通孔，其特征在于，该方法还包括：在所述通孔中和所述第二层间介质上涂覆底部抗反射涂层；在所述底部抗反射涂层上沉积低温氧化硅层；光刻后在所述低温氧化硅层上形成的第二光刻图案，以所述第二光刻图案为掩膜依次第二刻蚀所述低温氧化硅层、所述底部抗反射涂层和所述第二层间介质，在所述第二层间介质中形成沟槽，在所述沟槽下方的通孔侧壁上形成聚合物侧墙；第三刻蚀去除所述聚合物侧墙；灰化去除所述光刻图案和残留在所述通孔中的抗反射涂层；过刻蚀去除残留的氮化硅层，露出所述第一金属层；在所述通孔和所述沟槽中填充金属铜后，化学机械研磨所述金属铜形成金属线路。