发明名称 |
激光退火方法及激光退火装置 |
摘要 |
本发明提供一种激光退火方法及激光退火装置。在沿着被设定成矩阵状的TFT形成区域的纵横方向的任一排列方向搬送基板的同时利用拍摄机构对基板表面进行拍摄,并基于该拍摄图像检测在基板表面预先设定的对准基准位置;将与多个TFT形成区域对应地沿着与基板的搬送方向交叉的方向配置有多个透镜的至少一列透镜阵列,沿着与基板的搬送方向交叉的方向移动,以对准基准位置为基准对透镜阵列的透镜和基板的TFT形成区域进行对位;当基板移动而使TFT形成区域到达透镜阵列的对应透镜的正下方时,向透镜阵列照射激光,从而利用多个透镜使激光聚光以对各TFT形成区域的非晶硅膜进行退火处理。由此,可以跟踪被搬送的基板的移动而使微透镜阵列移动,从而可以提高激光的照射位置精度。 |
申请公布号 |
CN102449740A |
申请公布日期 |
2012.05.09 |
申请号 |
CN201080022772.5 |
申请日期 |
2010.05.25 |
申请人 |
株式会社V技术 |
发明人 |
梶山康一;水村通伸 |
分类号 |
H01L21/268(2006.01)I;B23K26/00(2006.01)I;B23K26/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/268(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
刘文海 |
主权项 |
一种激光退火方法,利用透镜阵列的多个透镜将激光聚光到在基板上以规定的排列间距设定成矩阵状的多个薄膜晶体管(以下称为“TFT”)形成区域,以对各所述TFT形成区域的非晶硅膜进行退火处理,所述激光退火方法的特征在于,在沿着被设定成所述矩阵状的TFT形成区域的纵横方向的任一排列方向搬送所述基板的同时利用拍摄机构对所述基板表面进行拍摄,并基于该拍摄图像检测在基板表面预先设定的对准基准位置;将与多个所述TFT形成区域对应地沿着与所述基板的搬送方向交叉的方向配置有多个透镜的至少一列透镜阵列,沿着与所述基板的搬送方向交叉的方向移动,以所述对准基准位置为基准对所述透镜阵列的透镜和所述基板的TFT形成区域进行对位;当所述基板移动而使所述TFT形成区域到达所述透镜阵列的对应透镜的正下方时,向所述透镜阵列照射所述激光。 |
地址 |
日本国神奈川县 |