一种去除金属层冗余金属填充的制造工艺

摘要

本发明提供一种去除金属层冗余金属填充的制造工艺。其工艺步骤如下：1）沉积低k值介质层；2）在沉积的低k值介质层上形成硬掩模层；3）对硬掩模层进行光刻和刻蚀；4）进行导线金属和冗余金属的填充，完成金属层沉积；5）对金属层进行化学机械研磨；6）继续化学机械研磨低k值介质层和金属混合层，进一步去除冗余金属。本方法通过一种在制作单大马士革和双大马士革金属互连中利用化学机械研磨进一步去除冗余金属的工艺，可以有效地减少或消除冗余金属填充引入的金属层内和金属层间的耦合电容，非常适于实用。

主权项

一种去除金属层冗余金属填充的制造工艺，其特征在于，其工艺步骤如下：1）沉积低k值介质层；2）在沉积的低k值介质层上形成硬掩模层；3）对硬掩模层进行光刻和刻蚀；4）进行导线金属和冗余金属的填充，完成金属层沉积；5）对金属层进行化学机械研磨；6）继续化学机械研磨低k值介质层和金属混合层，进一步去除冗余金属。