发明名称 |
一种锰掺杂的钛酸铋钠-钛酸钡无铅压电单晶及其制备方法 |
摘要 |
本发明属于晶体生长领域,涉及一种锰掺杂的钛酸铋钠-钛酸钡无铅压电单晶及其制备方法。本发明的锰掺杂的钛酸铋钠-钛酸钡无铅压电单晶,其化学成份符合化学组成式(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xBaTiO3-yat%Mn,其中0<x<1,0.1≤y≤0.4,yat%代表Mn占(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xBaTiO3的摩尔百分比。本发明采用顶部籽晶助熔剂提拉法生长Mn掺杂的NBBT无铅压电单晶,其压电常数d33达到500pC/N,机电耦合系数kt达到60%,已达到了使用水平,可广泛用于高频超声换能器、工业探伤及医用超声工程等领域。 |
申请公布号 |
CN102443852A |
申请公布日期 |
2012.05.09 |
申请号 |
CN201010299222.X |
申请日期 |
2010.09.30 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
张钦辉;孙仁兵;罗豪甦;赵祥永;任博;林迪;李晓兵 |
分类号 |
C30B29/32(2006.01)I;C30B15/36(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/32(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
许亦琳;余明伟 |
主权项 |
一种锰掺杂的钛酸铋钠‑钛酸钡无铅压电单晶,其化学成份符合化学组成式(1‑x)Na0.5Bi0.5TiO3‑xBaTiO3‑y at%Mn,其中0<x<1,0.1≤y≤0.4,y at%代表Mn占(1‑x)Na0.5Bi0.5TiO3‑xBaTiO3的摩尔百分比。 |
地址 |
200050 上海市长宁区定西路1295号 |