发明名称 一种锰掺杂的钛酸铋钠-钛酸钡无铅压电单晶及其制备方法
摘要 本发明属于晶体生长领域,涉及一种锰掺杂的钛酸铋钠-钛酸钡无铅压电单晶及其制备方法。本发明的锰掺杂的钛酸铋钠-钛酸钡无铅压电单晶,其化学成份符合化学组成式(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xBaTiO3-yat%Mn,其中0<x<1,0.1≤y≤0.4,yat%代表Mn占(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xBaTiO3的摩尔百分比。本发明采用顶部籽晶助熔剂提拉法生长Mn掺杂的NBBT无铅压电单晶,其压电常数d33达到500pC/N,机电耦合系数kt达到60%,已达到了使用水平,可广泛用于高频超声换能器、工业探伤及医用超声工程等领域。
申请公布号 CN102443852A 申请公布日期 2012.05.09
申请号 CN201010299222.X 申请日期 2010.09.30
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明人 张钦辉;孙仁兵;罗豪甦;赵祥永;任博;林迪;李晓兵
分类号 C30B29/32(2006.01)I;C30B15/36(2006.01)I 主分类号 C30B29/32(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 许亦琳;余明伟
主权项 一种锰掺杂的钛酸铋钠‑钛酸钡无铅压电单晶,其化学成份符合化学组成式(1‑x)Na0.5Bi0.5TiO3‑xBaTiO3‑y at%Mn,其中0<x<1,0.1≤y≤0.4,y at%代表Mn占(1‑x)Na0.5Bi0.5TiO3‑xBaTiO3的摩尔百分比。
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