| 发明名称 | 传感器、半导体基板、和半导体基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种传感器，具有：含硅的基底基板，在基底基板的上方设置的晶种体、以及，与晶种体晶格匹配或准晶格匹配，且由吸收光或热生成载流子的3至5族化合物半导体组成的光热吸收体，光热吸收体，按照入射到光热吸收体的入射光或施加到光热吸收体的热度而输出电信号。同时，提供半导体基板，具有：含硅的基底基板、在基底基板的上方形成，具有露出基底基板表面的开口，阻碍结晶生长的阻碍体、在开口内部设置的晶种体、与晶种体晶格匹配或准晶格匹配，由吸收光或热度而生成载流子的3-5族化合物半导体构成的光热吸收体。 | ||
| 申请公布号 | CN102449784A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201080022788.6 | 申请日期 | 2010.06.03 |
| 申请人 | 住友化学株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所 | 发明人 | 秦雅彦;高田朋幸;山中贞则;板谷太郎 |
| 分类号 | H01L31/10(2006.01)I;G01J1/02(2006.01)I;H01L27/14(2006.01)I;H01L35/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种传感器，具有：含硅的基底基板、在所述基底基板的上方设置的晶种体、以及与所述晶种体晶格匹配或准晶格匹配，且由吸收光或热生成载流子的3至5族化合物半导体组成的光热吸收体，所述光热吸收体，按照入射到所述光热吸收体的入射光或施加到所述光热吸收体的热度而输出电信号。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||