| 发明名称 | 生长于非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底上的装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于改进非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底上的(Ga，Al，In，B)N薄膜的生长形态的方法，其中(Ga，Al，In，B)N薄膜直接生长于非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底或模板上，且生长期间所使用的载气的一部分由惰性气体构成。非极性或半极性氮化物LED和二极管激光器可生长于依据本发明而生长的光滑的(Ga，Al，In，B)N薄膜上。 | ||
| 申请公布号 | CN102449737A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201080010051.2 | 申请日期 | 2010.03.02 |
| 申请人 | 加利福尼亚大学董事会 | 发明人 | 罗伯特·M·法雷尔;迈克尔·伊萨;詹姆斯·S·斯佩克;史蒂文·P·登巴尔斯;中村秀治 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 章蕾 |
| 主权项 | 一种用于制造(Ga，Al，In，B)N薄膜的方法，其包括：直接在非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底或模板上生长(Ga，Al，In，B)N膜；以及在所述生长步骤期间使用载气，其中所述载体的至少一部分由惰性气体构成。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||