湿法处理方法及回蚀方法

摘要

本发明公开了一种湿法处理方法及回蚀方法，所述湿法处理方法在对半导体衬底进行稀释的氢氟酸处理后，利用去离子水将所述稀释的氢氟酸逐渐排出，并在同一槽中对所述半导体衬底进行去离子水冲洗，从而避免在半导体衬底上产生颗粒；所述回蚀方法在利用稀释的氢氟酸对半导体衬底上的垫氧化层进行回蚀后，利用去离子水将所述稀释的氢氟酸逐渐排出，并在同一槽中对所述半导体衬底进行去离子水冲洗，从而避免在半导体衬底上产生颗粒，提高了半导体器件的性能。

主权项

一种湿法处理方法，用于对半导体衬底上的二氧化硅进行湿法清洗或湿法刻蚀，其特征在于，包括如下步骤：将所述半导体衬底置于装有稀释的氢氟酸的第三槽中，对所述半导体衬底上的二氧化硅进行清洗或刻蚀；往所述第三槽的底部通入第一去离子水，将所述第三槽中的稀释的氢氟酸完全排出，并利用所述第一去离子水对所述半导体衬底进行冲洗；以及对所述半导体衬底依次进行第一标准清洗液清洗、第一去离子水冲洗及烘干。