发明名称 |
一种减少光刻机对准偏差的光刻图形对准标记方法 |
摘要 |
本发明公开了一种减少光刻机对准偏差的光刻图形对准标记方法,提供光刻图形对准标记,光刻图形对准标记位于对准图形中部第一保护带内,对准图形保护带位于切割带内,切割带两侧分别分布有第二保护带和分隔带,光刻图形对准标记为若干相互平行的矩形条,其中,所述若干相互平行的矩形条垂直于所述切割带方向地在所述对准图形中部第一保护带内依次进行排布。与已有技术相比,本发明的有益效果在于:1、在现有光刻机的设计精度下,缩短图形的宽度,把信号扫描方向的其它干扰图形去除掉,这样就减少了干扰信号避免了对准偏差;2、所有的产品都可以使用这个图形。 |
申请公布号 |
CN102445865A |
申请公布日期 |
2012.05.09 |
申请号 |
CN201110349890.3 |
申请日期 |
2011.11.08 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
马兰涛 |
分类号 |
G03F9/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I |
主分类号 |
G03F9/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
王敏杰 |
主权项 |
一种减少光刻机对准偏差的光刻图形对准标记方法,提供光刻图形对准标记,光刻图形对准标记位于对准图形中部第一保护带内,对准图形保护带位于切割带内,切割带两侧分别分布有第二保护带和分隔带,光刻图形对准标记为若干相互平行的矩形条,其特征在于,所述若干相互平行的矩形条垂直于所述切割带方向地在所述对准图形中部第一保护带内依次进行排布。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |