发明名称 一种垂直结构发光二极管
摘要 本发明提出一种垂直结构发光二极管的结构与方法,其特征在于:一、芯片以多层金属作为外延层的支撑衬底,其作用是导热和导电;二、作为支撑衬底的多层金属是通过蒸发、溅射或者电镀的方法生长得到;三、作为支撑衬底的金属层由多层金属组成。
申请公布号 CN102447015A 申请公布日期 2012.05.09
申请号 CN201010502895.0 申请日期 2010.10.01
申请人 陈祖辉 发明人 陈祖辉
分类号 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种垂直结构发光二极管的制造方法,其特征在于:1、去除蓝宝石衬底,衬底置换完成以后开始进行芯片单元制作工艺,几个主要特征是:1)外延片在衬底置换之前已经沉积反光、接触层金属薄膜。2)外延片上沉积反光、接触层金属薄膜后,以钨、钨合金、钼、钼合金等难熔金属或合金作为阻挡层。3)芯片的钝化层制作是在衬底置换之后。2、用于置换蓝宝石的导热衬底是由导热性能良好的铜、银和莫斯硬度极高的金属多层交替组成。3、导热衬底由蒸发、溅射或者电镀这几种方法的组合沉积生长而成。
地址 361000 福建省厦门市湖里区江头北路76号(东方威尼斯A栋)506室