| 发明名称 | 形成互连沟槽以及通孔的方法及形成互连结构的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成互连沟槽以及通孔的方法以及形成互连结构的方法，形成互连沟槽以及通孔包括：提供基底，所述基底上形成有具有铜插栓的介质层，所述铜插栓上形成有帽层；在所述具有铜插栓的介质层的表面以及所述帽层的表面上形成刻蚀停止层，在所述刻蚀停止层上形成介质层；在所述介质层形成互连沟槽以及通孔；用酸清洗所述互连沟槽以及通孔；干法刻蚀去除覆盖在所述帽层表面上的刻蚀停止层。之后，用紫外线照射所述互连沟槽以及通孔；将所述互连沟槽以及通孔处于臭氧气体以及水蒸气氛围中；用有机溶剂清洗所述互连沟槽以及通孔。本发明的方法不会腐蚀帽层，而且可以修复损伤的介质层。 | ||
| 申请公布号 | CN102446815A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201010509393.0 | 申请日期 | 2010.10.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;李凡 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/26(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种形成互连沟槽以及通孔的方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有具有铜插栓的介质层，所述铜插栓上形成有帽层；在所述具有铜插栓的介质层的表面以及所述帽层的表面上形成刻蚀停止层，在所述刻蚀停止层上形成介质层；在所述介质层形成互连沟槽以及通孔；用酸清洗所述互连沟槽以及通孔；干法刻蚀去除覆盖在所述帽层表面上的刻蚀停止层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||