| 发明名称 | 形貌引导的图案化 | ||
| 摘要 | 一种在集成电路制造期间形成于经部分制造的集成电路(102)上的具有格外小特征的图案。所述图案包括由例如二嵌段共聚物等自组织材料形成的特征(162)、(164)。所述共聚物的组织由已通过节距倍增工艺形成的间隔件(152)引导，其中所述间隔件(152)形成于牺牲心轴(142)的各侧处，所述牺牲心轴随后被移除以留下间隔开的独立式间隔件(152)。在间隔件(152)之间的空间中及上方沉积由两种不混溶嵌段物质组成的二嵌段共聚物。使所述共聚物自组织，其中每一嵌段物质均与相同类型的其它嵌段物质聚集。 | ||
| 申请公布号 | CN101405216B | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN200780009806.5 | 申请日期 | 2007.05.14 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 古尔特杰·S·桑胡 |
| 分类号 | H01L21/308(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/308(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 王允方 |
| 主权项 | 一种用于形成掩模图案的方法，所述方法包括：通过节距倍增形成多个间隔件；在所述间隔件之间沉积嵌段共聚物材料薄膜；对所述薄膜进行退火以在所述薄膜内形成重复的特征图案；及随后移除所述间隔件。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||