减少晶片边缘颗粒缺陷的方法

摘要

本发明提供了一种减少晶片边缘颗粒缺陷的方法：在半导体衬底表面上依次涂布六甲基二硅氮烷HMDS、底部抗反射层、第一光阻胶层以及顶部涂层；其中，HMDS、底部抗反射层、第一光阻胶层以及顶部涂层还附着于晶片边缘的厚度方向上；对顶部涂层和第一光阻胶层进行浸没式光刻以及以所述浸没式光刻后的图案为掩膜进行半导体衬底的刻蚀之后，形成浅沟槽隔离区；在浅沟槽隔离区内填充氧化物之后，在半导体衬底表面沉积栅氧化层材料；在栅氧化层材料表面涂布第二光阻胶层；对所述第二光阻胶层进行光刻以及以所述光刻后的图案为掩膜进行栅氧化层材料的湿法刻蚀之后，形成栅氧化层。采用本发明能够有效减少晶片边缘出现氧化物颗粒缺陷。

主权项

一种减少晶片边缘颗粒缺陷的方法，应用于半导体器件的前段制造工艺中，该方法包括：在半导体衬底表面上依次涂布六甲基二硅氮烷HMDS、底部抗反射层、第一光阻胶层以及顶部涂层；其中，HMDS、底部抗反射层、第一光阻胶层以及顶部涂层还附着于晶片边缘的厚度方向上；对顶部涂层和第一光阻胶层进行浸没式光刻，以及以所述浸没式光刻后的第一光阻胶层图案为掩膜进行半导体衬底的刻蚀之后，形成浅沟槽隔离区；在浅沟槽隔离区内填充氧化物之后，在半导体衬底表面沉积栅氧化层材料；在栅氧化层材料表面涂布第二光阻胶层；对所述第二光阻胶层进行光刻，以及以所述光刻后的第二光阻胶层图案为掩膜进行栅氧化层材料的湿法刻蚀之后，形成栅氧化层。