| 发明名称 | 制造碳化硅衬底的方法和碳化硅衬底 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造易于具有大直径的碳化硅衬底(1)的方法，所述方法包括：准备多个SiC衬底(20)的步骤，所述多个SiC衬底(20)各自由单晶碳化硅制得；以及以当俯视观察时所述多个SiC衬底(20)并排排列的方式将所述多个SiC衬底(20)的端面(20B)相互连接的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN102449734A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201080023860.7 | 申请日期 | 2010.09.27 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 原田真;佐佐木信;西口太郎;玉祖秀人;并川靖生 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陈海涛;樊卫民 |
| 主权项 | 一种制造碳化硅衬底(1)的方法，所述方法包括：准备多个SiC衬底(20)的步骤，所述多个SiC衬底(20)各自由单晶碳化硅制得；以及以当俯视观察时所述多个SiC衬底(20)并排排列的方式将所述多个SiC衬底(20)的端面(20B)相互连接的步骤。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||