| 发明名称 | 检查半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及检查半导体器件的方法。半导体器件的可靠性被提高。在BGA(半导体器件)的平整度检查中，形成了平整度标准，其中常温下平整度的(+)方向的允许范围比(-)方向的允许范围小。利用以上平整度标准，执行常温下半导体器件的平整度检查以确定安装的产品是非缺陷的还是有缺陷的。利用以上处理，减少了在回流焊接等期间受热时封装弯曲引起的有缺陷安装，以及提高了BGA的可靠性。同时，可执行更好地考虑安装状态的衬底型半导体器件的平整度管理。 | ||
| 申请公布号 | CN102446785A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201110305644.8 | 申请日期 | 2011.09.30 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 山田聪;辛岛崇;广永兼也;安永雅敏;藤本裕史 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 一种检查具有安装在布线衬底上的半导体芯片的半导体器件的方法，包括步骤：(a)提供半导体器件，其中在与其上安装半导体芯片的布线衬底的前表面相对的后表面上提供多个外部端子；以及(b)测量所述外部端子的平整度以及确定所述半导体器件是有缺陷的还是非缺陷的，其中，在步骤(b)中，在布线衬底向上弯曲而布线衬底的后表面朝下的情况下，朝着突起侧的方向被称为“(+)方向”，而在布线衬底向下弯曲而布线衬底的后表面朝下的情况下，朝着突起侧的方向被称为“(‑)方向”，形成平整度标准，在所述平整度标准中(+)方向的平整度的允许范围比(‑)方向的平整度的允许范围小，以及利用所述平整度标准检查所述半导体。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||