| 发明名称 | 一种利用紫外线照射光刻胶来缩小硅栅线宽的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种利用紫外线照射光刻胶来缩小硅栅线宽的方法，包括如下步骤，步骤一，在多晶硅上成长200~400A二氧化硅作为硬掩膜层；步骤二，涂覆光刻胶并曝光显影；步骤三，在温度为100~3000C的条件下，利用紫外线照射处理光刻胶；步骤四，干法刻蚀。利用该发明的方法照射处理光刻胶，利于做小线宽，利于提高2D图形的工艺窗口。在保证刻蚀工艺窗口，同时利于减薄光刻胶厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN102446723A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201110349887.1 | 申请日期 | 2011.11.08 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 景旭斌;杨斌;郭明升 |
| 分类号 | H01L21/268(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/268(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种利用紫外线照射光刻胶来缩小硅栅线宽的方法，其特征在于，包括如下步骤，步骤一，在多晶硅上成长200~400A二氧化硅作为硬掩膜层；步骤二，涂覆光刻胶并曝光显影；步骤三，在温度为100~3000C的条件下，利用紫外线照射处理光刻胶；步骤四，干法刻蚀。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||