| 发明名称 | 一种预防多晶硅层图形倒塌的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种预防多晶硅层图形倒塌的方法，通过在多晶硅层上设置平坦化层，使得有源区和浅沟槽隔离区上的防反射层厚度均匀，从而有效避免由于防反射层厚度不均造成的反射率变化，以致后续光刻定义图形的倒塌。 | ||
| 申请公布号 | CN102446746A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201110322337.0 | 申请日期 | 2011.10.21 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 王剑;毛智彪;戴韫青 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种预防多晶硅层图形倒塌的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一包含有有源区和浅沟槽隔离区的衬底上淀积多晶硅层，该多晶硅层覆盖有源区和浅沟槽隔离区；步骤S2：于多晶硅层上制备平坦化层。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||