一种减小MOS IO器件GIDL效应的方法

摘要

本发明提供的减小MOS IO器件GIDL效应的方法，在具备偏移隔离层的制程中，在多晶硅栅刻蚀形成后，先进行IO器件的源漏扩展区的离子注入，然后进行多晶硅氧化和沉积偏移隔离层。MOS IO器件源漏扩展区离子注入后，进行多晶硅氧化和偏移隔离层沉积，这一热效应制程使得MOS IO源漏扩展区节变成比较缓变节，从而不容易发生BTBT(bandtobandtunneling)漏电流，减小了MOS IO器件的GIDL效应，从而降低器件的漏电流。

主权项

一种减小MOS IO器件DIDL效应的方法，其特征在于，在偏移间隔制程中，形成多晶硅栅后，进行源漏扩展区的离子注入，具体步骤包括：步骤1，在硅基底上刻蚀形成IO器件的多晶硅栅；步骤2，光阻材料将硅衬底覆盖，并对光刻胶进行刻蚀将IO器件多晶硅栅及IO器件多晶硅栅两侧源漏扩展区预制备区暴露出来；步骤3，对暴露出的源漏扩展区预制备区进行轻掺杂和离子注入，形成源漏扩展区；离子注入能量不打穿IO器件多晶硅栅；步骤4，去除剩余光阻材料，对IO器件的多晶硅栅进行氧化，在所述多晶硅栅两侧和顶部形成氧化层；步骤5，在IO器件多晶硅栅的氧化层外侧沉积形成偏移隔离层。