| 发明名称 | MOSFET形成方法 | ||
| 摘要 | 一种MOSFET形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构，所述半导体衬底表面、栅极结构侧壁形成有保护层；依次采用等离子体刻蚀去除位于栅极结构两侧且位于半导体衬底表面的保护层和位于栅极结构两侧部分半导体衬底，形成开口；氧化位于开口侧壁和开口底部的半导体衬底，形成氧化层；去除所述氧化层直至暴露出半导体衬底；在栅极结构两侧暴露出的半导体衬底表面形成填充开口的应力层。本发明形成的MOSFET半导体衬底的漏电流小且沟道区的应力大，器件性能优良。 | ||
| 申请公布号 | CN102446766A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201010511963.X | 申请日期 | 2010.10.12 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 何永根;何有丰 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种MOSFET形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构，所述半导体衬底表面、栅极结构侧壁形成有保护层；依次采用等离子体刻蚀去除位于栅极结构两侧且位于半导体衬底表面的保护层和位于栅极结构两侧部分半导体衬底，形成开口；氧化位于开口侧壁和开口底部的半导体衬底，形成氧化层；去除所述氧化层直至暴露出半导体衬底；在暴露出的半导体衬底表面，采用应力层填充去除所述氧化层后的开口。 | ||
| 地址 | 100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 | ||