| 发明名称 | 制备和组装基材的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制备和组装基材的方法，本发明尤其涉及一种用于移植被称作移植层的材料或电路或元件层的方法，该移植层形成在第一晶片材料中，并且该移植层的表面与第一晶片材料的表面平齐，所述方法包括：钻挖所述第一晶片材料经过一厚度，其中所述移植层至少在其外周周围或外周被进行钻挖，所述厚度小于所述第一晶片厚度但大于所述移植层的厚度；将该移植层移植到所述第二晶片材料上。 | ||
| 申请公布号 | CN101494169B | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN200910001319.5 | 申请日期 | 2004.10.14 |
| 申请人 | 硅绝缘技术公司 | 发明人 | 贝尔纳·阿斯帕尔;克里斯特勒·拉贾赫-布朗夏尔 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 蔡胜利 |
| 主权项 | 一种用于移植被称作移植层的材料或电路或元件层(16，28)的方法，该移植层形成在第一晶片材料(12，22)中，并且该移植层的表面与第一晶片材料的表面平齐，所述方法包括：钻挖所述第一晶片材料(12，22)经过一厚度(ed)，其中所述移植层至少在其外周周围或外周被进行钻挖，所述厚度(ed)小于所述第一晶片厚度(e)但大于所述移植层(16，28)的厚度；将该移植层移植到第二晶片材料(14，24)上。 | ||
| 地址 | 法国贝宁 | ||