沉积多晶硅的方法

摘要

本发明涉及一种制备多晶硅的方法，其中将包含氢气和含硅气体的反应气体引入到反应室中，所述含硅气体在加热的硅上进行热分解并沉积在硅上形成尾气，该尾气被分离为第一尾气馏分和第二尾气馏分，所述第一尾气馏分包含三氯硅烷和沸点低于三氯硅烷的氯硅烷，而第二尾气馏分包含沸点高于三氯硅烷的成分，将所述第一尾气馏分供应到沉积多晶硅的反应气体中，而将所述第二尾气馏分分离为四氯硅烷和包含高沸点化合物、并含有或不含有四氯硅烷的高沸点化合物馏分，所述方法包括将所述高沸点化合物馏分供应到沉积硅的反应气体中并将反应气体加热到确保该高沸点化合物馏分在进入沉积反应器的反应室时呈气态的温度。

主权项

一种制备多晶硅的方法，其中将包含氢气和含硅气体的反应气体引入到反应室中，所述含硅气体在加热的硅上进行热分解并沉积在硅上形成尾气，该尾气被分离为第一尾气馏分和第二尾气馏分，所述第一尾气馏分包含三氯硅烷和沸点低于三氯硅烷的氯硅烷，而第二尾气馏分包含沸点高于三氯硅烷的成分，将所述第一尾气馏分供应到沉积多晶硅的反应气体中，而将所述第二尾气馏分分离为四氯硅烷和包含高沸点化合物、并含有或不含有四氯硅烷的高沸点化合物馏分，所述高沸点化合物为包含硅和氯并含有或不含有氢、氧和碳的、具有比四氯硅烷更高的沸点的化合物，所述方法包括将所述高沸点化合物馏分供应到沉积硅的反应气体中并将该反应气体加热到确保该高沸点化合物馏分在进入沉积反应器的反应室时呈气态的温度。