在SONOS非挥发性存储器工艺中嵌入高压器件的方法

摘要

本发明公开了一种在SONOS非挥发性存储器工艺中嵌入高压器件的方法，包括如下步骤：1)先为在衬底上进行场氧化区的制备，而后进行高压器件区的栅氧化层生长前的工艺步骤；2)接着生长高压器件区的栅氧化层；3)之后进行低压器件区中栅氧化层生长前的工艺步骤；4)紧接着为SONOS非挥发性存储器区隧道窗口注入和刻蚀；5)在整个衬底上生长ONO介质层；6)去除高压器件区上的ONO介质层；7)采用光刻胶保护非挥发性存储器区的ONO介质层和高压器件区的栅氧化层，去除衬底上的ONO介质层和衬底上的衬垫氧化层，之后去除光刻胶；8)最后生长低压器件区的栅氧化层。采用本发明的方法，提高了高压器件的可靠性。

主权项

一种在SONOS非挥发性存储器工艺中嵌入高压器件的方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)先为在衬底上进行场氧化区的制备，接着在衬底上生长衬垫氧化层，而后进行高压器件区的栅氧化层生长前的工艺步骤；(2)接着生长高压器件区的栅氧化层；(3)之后进行低压器件区中栅氧化层生长前的工艺步骤；(4)紧接着为SONOS非挥发性存储器区隧道窗口注入，之后刻蚀去除SONOS非挥发性存储器区表面的衬垫氧化层；(5)在整个衬底上生长ONO介质层；(6)去除高压器件区上的ONO介质层；(7)采用光刻胶保护非挥发性存储器区的ONO介质层和高压器件区的栅氧化层，去除衬底上的ONO介质层和衬底上的衬垫氧化层，之后去除光刻胶；(8)最后生长低压器件区的栅氧化层。