非易失性存储元件及其制造方法

摘要

提供一种非易失性存储元件及其制造方法。该非易失性存储元件包括：半导体区；相互隔开地设置在所述半导体区中的源区和漏区；设置在源区与漏区之间的半导体区上的隧道绝缘膜；设置在所述隧道绝缘膜上的电荷存储层；设置在所述电荷存储层上的阻挡绝缘膜；以及设置在所述阻挡绝缘膜上的控制栅电极。所述电荷存储层包括含有从包括Hf、Al、Zr、Ti和稀土金属的组中选择的至少一种材料、并且被全部或者部分地晶化的氧化物、氮化物或氧氮化物。所述阻挡绝缘膜包括含有至少一种稀土金属的氧化物、氧氮化物、硅酸盐或铝酸盐。

主权项

一种非易失性存储元件，包括：半导体区；源区和漏区，相互隔开地设置在所述半导体区中；隧道绝缘膜，设置在所述源区与所述漏区之间的所述半导体区上；电荷存储层，设置在所述隧道绝缘膜上；阻挡绝缘膜，设置在所述电荷存储层上；以及控制栅电极，设置在所述阻挡绝缘膜上，其中所述电荷存储层包括氧化物、氮化物或氧氮化物，所述氧化物、氮化物或氧氮化物含有从组中选择的至少一种材料，所述组包括Hf、Al、Zr、Ti和稀土金属，并且所述氧化物、氮化物或氧氮化物被全部或者部分地晶化，以及所述阻挡绝缘膜包括含有至少一种稀土金属的氧化物、氧氮化物、硅酸盐或铝酸盐。