发明名称 |
双模式超导型光阴极注入器主体结构 |
摘要 |
本发明涉及双模式超导型光阴极注入器主体结构,属于加速器技术领域,该结构主要包括:低频率TEM模的QWR超导腔与高频率TM模的高β椭球形超导腔组成的双模式双频超导腔,QWR腔与高β椭球形腔通过一段束管相连;QWR腔为低能电子束引出腔,高β腔为电子束的聚束增能腔,两种腔的频率是倍频、同步关系。本发明为注入器提供的电子束流具有超短脉冲、超低发射度、高平均流强的特点。 |
申请公布号 |
CN101888737B |
申请公布日期 |
2012.05.09 |
申请号 |
CN201010202567.9 |
申请日期 |
2010.06.13 |
申请人 |
赵夔 |
发明人 |
赵夔;朱凤;郝建奎;焦飞 |
分类号 |
H05H5/02(2006.01)I |
主分类号 |
H05H5/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
廖元秋 |
主权项 |
一种双模式超导型光阴极注入器主体结构,其特征在于,该结构主要包括:低频率TEM模的QWR超导腔与高频率TM模的高β椭球形超导腔组成的双模式双频超导腔,QWR超导腔与高β椭球形超导腔通过一段束管相连;QWR超导腔为低能电子束引出腔,高β椭球形超导腔为谐振频率1.3GHz的电子束的聚束增能腔,两种腔的频率是倍频、同步关系;该主体结构还包括:同轴型微波功率电耦合器的内导体、微波功率磁耦合器内导体、QWR超导腔提取探针、高β椭球形超导腔提取探针、光阴极、真空接口、高β椭球形超导腔的主耦合器接口、束管式高阶模衰减器及外罩;其连接关系为:QWR超导腔(201)输出端口与高β椭球形超导腔的输入端口通过一段束管相连通,同轴型微波功率电耦合器的内导体与QWR超导腔同轴,且同轴型微波功率电耦合器的内导体的输出端口与QWR超导腔相连通,同轴型微波功率电耦合器的内导体的输入端口与真空接口相连;高β椭球形超导腔的输出端口与束管式高阶模衰减器的输入端口相连通;外罩设置在QWR超导腔和高β椭球形超导腔(206)外,使其内的各器件处于真空密封状态;QWR超导腔提取探针设置在QWR超导腔外壁上且与QWR超导腔(201)内相通;光阴极设置在同轴型微波功率电耦合器的输出端口上,微波功率磁耦合器内导体设置在QWR超导腔的侧壁上并与QWR超导腔连通;高β椭球形超导腔提取探针设置在束管式高阶模衰减器壁上,与所述的主耦合器接口位置相对应。 |
地址 |
100871 北京市海淀区北京大学物理学院重离子所 |