非易失性存储元件以及其制造方法

摘要

提供一种能够抑制电阻值不均匀的电阻变化型的非易失性存储元件。本发明的非易失性存储元件具有：硅基板(11)；下部电极层(102)，形成在硅基板(11)上；电阻变化层，形成在下部电极层(102)上；上部电极层(104)，形成在电阻变化层上；第二层间绝缘层(19)，以至少覆盖下部电极层(102)、电阻变化层的侧面而形成；压力缓和区域层(105)，使用比用于第二层间绝缘层(19)的绝缘层应力小的材料以至少直接覆盖上部电极层(104)的上表面以及侧面的方式来进行设置，缓和针对上部电极层(104)的应力；第二触点(16)到达上部电极层(104)而形成；以及，布线图案(18)，与第二触点(16)相连接。

主权项

一种非易失性存储元件，具有：基板；下部电极层，形成在所述基板上；第一电阻变化层，由金属氧化物构成，形成在所述下部电极层上；第二电阻变化层，形成在所述第一电阻变化层上，并且由与所述第一电阻变化层相比缺氧度小的金属氧化物构成；上部电极层，形成在所述第二电阻变化层上；层间绝缘层，以至少覆盖所述下部电极层、所述第一电阻变化层以及所述第二电阻变化层的侧面的方式来形成；压力缓和区域层，使用与所述层间绝缘层所使用的绝缘层相比应力小的材料，以至少直接覆盖所述上部电极层的上表面以及侧面的方式来设置，缓和针对所述上部电极层的应力；触点，以到达上部电极层的方式来形成；以及布线图案，与所述触点连接。