| 发明名称 | 用于后续高温第三族沉积的基材预处理 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例涉及制造诸如发光二极管(LEDs)或激光二极管(LDs)的器件的基材预处理设备与方法。本发明的一个实施例包括通过将含氧化铝基材的表面暴露于预处理气体混合物来预处理含氧化铝基材，其中预处理气体混合物包括氨(NH3)与卤素气体。 | ||
| 申请公布号 | CN102449743A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201080023547.3 | 申请日期 | 2010.04.23 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | Y·梅尔尼克;O·克利里欧科;H·科吉里;石川哲也 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L33/02(2006.01)I;H01S5/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆嘉;管琦琦 |
| 主权项 | 一种形成III族金属氮化物薄膜的方法，包括：加热一个或多个蓝宝石基材至预处理温度；以及当所述一个或多个蓝宝石基材各自的表面在所述预处理温度时，将所述表面暴露于预处理气体混合物以形成预处理表面，其中所述预处理气体混合物包括氨(NH3)与卤素气体。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||