弯曲的晶片混合补偿

摘要

一种在非平面的晶片上运用的平面化方法，包括：形成穿过能被去除的材料延伸的导电的柱，每个柱具有的长度使得每个柱的顶部位于限定晶片的最大偏差点的平面之上，同时使材料和柱变平滑，以形成实质上平面的表面；以及去除材料。一种设备，包括：在其上具有触点的非平面的晶片，晶片具有偏离平面的偏差，偏差量大于晶片上的至少一个触点的高度，以及远离晶片的表面延伸的一组导电的柱，每个柱都具有末端，所述柱的所述末端共同限定实质上平坦的平面。

主权项

一种运用在非平面衬底上的平面化的方法，其中所述非平面衬底具有多个设置在具有非平面的表面的一侧上的预先形成的电触点，并且所述非平面的表面具有偏离平面的偏差并包括至少一个弓形的部分或碟形的部分，所述方法包括：将能被去除的材料施加到具有非平面的表面的所述侧上，其中所述能被去除的材料的厚度大于偏离平面的所述偏差；在所述能被去除的材料中形成多个开口，其中所述多个开口穿过所述能被去除的材料向下延伸到所述预先形成的电触点；用导电材料填满所述多个开口；部分去除所述能被去除的材料和所述导电材料以形成平面的表面；以及去除所述能被去除的材料以暴露所述导电材料，并形成具有共面的末端的多个柱。