发明名称 薄膜型FED下基板的制作方法
摘要 本发明提供一种薄膜型FED下基板的制作方法,包括:(1)提供一透明的玻璃基板;整板沉积低电阻材料,然后利用湿刻的方法形成条状的第一电极层下层结构;(2)选用无机材料印刷成型或者有机材料微影成型的方法形成网格状第一绝缘层;采用相同工艺形成倒梯形的条状第二绝缘层;(3)采用溅射或者真空蒸镀的方法整板沉积第二电极层,利用第二绝缘层的高度差使第二电极层线条之间分开;利用掩膜板遮挡第二电极层,沉积一层低逸出功材料作为FED的发射材料,该层低逸出功材料即是第一电极层的上部结构。本发明能有效防止阴、栅极短路、断路现象的发生,提高产品发射性能。
申请公布号 CN101807501B 申请公布日期 2012.05.09
申请号 CN201010123817.X 申请日期 2010.03.15
申请人 彩虹集团公司 发明人 张斌
分类号 H01J9/00(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I 主分类号 H01J9/00(2006.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人 汪人和
主权项 一种薄膜型FED下基板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:1)制备第一电极(20)的下层结构:提供基板(10),该基板(10)为一透明的玻璃基板;先在玻璃基板上整板沉积低电阻材料,然后利用湿刻的方法形成条状的第一电极的下层结构(201);2)制备第一绝缘层(30)和第二绝缘层(40):采用无机材料印刷成型的方法形成网格状第一绝缘层(30),工艺流程为印刷、曝光、显影、烧结;采用无机材料印刷成型的方法形成倒梯形的条状第二绝缘层(40),工艺流程为印刷、曝光、显影、烧结;3)制备第二电极层(50)和第一电极层(20)的上层结构(202):采用溅射或者真空蒸镀的方法整板沉积第二电极层(50),利用第二绝缘层和第一绝缘层的高度差使第二电极层(50)线条之间分开;接着利用掩膜板遮挡第二电极层(50),沉积一层低逸出功材料作为FED的发射材料,该层低逸出功材料即是第一电极层(20)的上部结构(202)。
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