发光元件及其制造方法

摘要

本发明的发光元件(100)具有发光层部(24)，其具有依次积层AlGaInP所分别构成之n型包覆层(4)、有源层(5)及p型包覆层(6)的双异质结构；且以部分覆盖第一主表面侧为p型、第二主表面侧为n型之贴合对象层(50)第一主表面的形式，形成光取出侧电极(9)。又，在该贴合对象层(50)的第二主表面贴合由III-V族化合物半导体所构成之n型透明元件基板(90)(能带间隙能量大于有源层)。接着，在透明元件基板与贴合对象层(50)中至少一个上形成贴合面，使得两者贴合，且形成贴合面侧形成有n型掺杂物Si浓化之高浓度Si掺杂层3d的InGaP中间层(3)。由此，本发明提供一种即使是在发光层部与透明导电性半导体基板之贴合面侧为n型，形成于贴合面侧之InGaP中间层以Si掺杂成n型时，可充分降低在贴合界面之元件串联电阻，也可谋求该切换反应性的发光元件。

主权项

一种发光元件，其特征在于：具有发光层部，其具有依次积层AlGaInP所分别构成的n型包覆层、有源层及p型包覆层的双异质结构，其中该AlGaInP是由III‑V族化合物半导体所构成，具有与GaAs晶格匹配的组成；且具有下述结构，以部分覆盖第一主表面侧为p型、第二主表面侧为n型之贴合对象层的第一主表面的形式，形成光取出侧电极，另一方面在该贴合对象层之第二主表面，贴合能带间隙能量大于有源层的III‑V族化合物半导体所构成的n型透明元件基板；并且在该透明元件基板与该贴合对象层中至少一个上形成贴合面，使得两者贴合，且形成该贴合面侧形成有n型掺杂物Si浓化之高浓度Si掺杂层的InGaP中间层。