发明名称 | 半导体多项目或多产品晶片制造工艺 | ||
摘要 | 本发明提供一种半导体多项目或多产品MP晶片制造工艺,包括对多个MP晶片进行第一制造工艺步骤;将MP晶片分批为MP晶片群组-1和MP晶片群组-2;对MP晶片群组-1的MP晶片的进行第二制造工艺步骤-1,且对MP晶片群组-2的MP晶片进行第二制造工艺步骤-2,分别于MP晶片群组-1和MP晶片群组-2的MP晶片上形成大体上不同的半导体装置或制造工艺元件,且第二制造工艺步骤-1和第二制造工艺步骤-2属于相同的制造工艺世代。对MP晶片群组-1的MP晶片进行第三制造工艺步骤-3,对MP晶片群组-2的MP晶片进行第三制造工艺步骤-4,分别于MP晶片群组-1的MP晶片和MP晶片群组-2的MP晶片上形成大体上相同的半导体装置或制造工艺元件。本发明具有较低的原型产品一次性工程费用。 | ||
申请公布号 | CN102446708A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
申请号 | CN201110315446.X | 申请日期 | 2011.10.08 |
申请人 | 甘万达 | 发明人 | 甘万达 |
分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 郝新慧;张浴月 |
主权项 | 一种半导体多项目或多产品MP晶片制造工艺,包括下列步骤:对多个MP晶片进行一第一制造工艺步骤;进行该第一制造工艺步骤之后,将该些MP晶片分批为一MP晶片群组‑1和一MP晶片群组‑2;对该MP晶片群组‑1的一个MP晶片进行一第二制造工艺步骤‑1,且对该MP晶片群组‑2的一个MP晶片进行一第二制造工艺步骤‑2,其中该第二制造工艺步骤‑1和该第二制造工艺步骤‑2分别于该MP晶片群组‑1的一个该MP晶片和该MP晶片群组‑2的一个该MP晶片上形成大体上不同的半导体装置或制造工艺元件,且其中该第二制造工艺步骤‑1和该第二制造工艺步骤‑2属于相同的制造工艺世代;完成进行该第二制造工艺步骤‑1和该第二制造工艺步骤‑2之后,对该MP晶片群组‑1的一个该MP晶片进行一第三制造工艺步骤‑3,且对该MP晶片群组‑2的一个该MP晶片进行一第三制造工艺步骤‑4,其中该第三制造工艺步骤‑3和该第三制造工艺步骤‑4分别于该MP晶片群组‑1的一个该MP晶片和该MP晶片群组‑2的一个该MP晶片上形成大体上相同的半导体装置或制造工艺元件;以及对该MP晶片群组‑1的一个该MP晶片和该MP晶片群组‑2的一个该MP晶片进行一接续制造工艺,以制造一个或多个最终MP晶片。 | ||
地址 | 中国台湾新竹市 |