| 发明名称 | 一种改善硅衬底的方法及得到的硅衬底 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种改善硅衬底的方法，该方法包括如下步骤：提供硅衬底；在所述硅衬底上形成硅酸盐，其中，所述硅酸盐中的金属离子在所述硅衬底中的预定深度具有最大浓度，所述金属离子的浓度随着与所述预定深度的距离增大而逐渐减小；刻蚀所述硅酸盐并停止在所述预定深度所在平面或接近所述预定深度所在平面。本发明还提供了由上述方法形成的硅衬底。本发明的实施例适用于半导体器件制造中的衬底工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN102446700A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201010502043.1 | 申请日期 | 2010.09.30 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 骆志炯;尹海洲;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人 | 马佑平 |
| 主权项 | 一种改善硅衬底的方法，包括：提供硅衬底；在所述硅衬底上形成硅酸盐，其中，所述硅酸盐中的金属离子在所述硅衬底中的预定深度具有最大浓度，所述金属离子的浓度随着与所述预定深度的距离增大而逐渐减小；刻蚀所述硅酸盐并停止在所述预定深度所在平面或接近所述预定深度所在平面。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||