磁性随机存取存储器及其制造方法

摘要

一种磁性随机存取存储器(MRAM)的制造方法，包括，提供包含导电插塞的衬底；在衬底表面形成与存储单元区域导电插塞对应的磁性隧道结单元；在衬底表面形成覆盖磁性隧道结单元的第一介质层；在第一介质层内形成与外围驱动电路区域导电插塞位置对应的第一开口，采用第一导电材料填充所述第一开口形成第一填充金属层；平坦化所述第一填充金属层和第一介质层直至暴露出磁性隧道结单元；形成覆盖所述第一介质层、磁性隧道结单元和第一填充金属层的第二介质层；在第二介质层内形成与磁性隧道结单元相电连接的第一导电插塞，与第一填充金属层相电连接的第二导电插塞。本发明还提供利用上述方法得到的磁性随机存取存储器。

主权项

一种磁性随机存取存储器的制造方法，所述存储器包含存储单元区域和外围驱动电路区域，其特征在于，包括：提供包含导电插塞的衬底；在衬底表面形成与存储单元区域导电插塞对应的磁性隧道结单元；在衬底表面形成覆盖磁性隧道结单元的第一介质层；在第一介质层内形成与外围驱动电路区域导电插塞位置对应的第一开口，采用第一导电材料填充所述第一开口形成第一填充金属层；平坦化所述第一填充金属层和第一介质层直至暴露出磁性隧道结单元；形成覆盖所述第一介质层、磁性隧道结单元和第一填充金属层的第二介质层；在第二介质层内同时形成与磁性隧道结单元相电连接的第一导电插塞，以及与第一填充金属层相电连接的第二导电插塞。