通过原子层沉积形成半导体材料的系统和方法

摘要

本发明涉及通过原子层沉积形成半导体材料的系统和方法。在衬底上沉积III-V族半导体材料的方法包括：通过改变衬底相对于多个气体柱的空间位置依次将III族元素的气态前体和V族元素的气态前体引至该衬底。例如，可以使衬底相对于各自处理不同前体的多个基本对齐的气体柱移动。用于产生这些前体的热化气体注入器可以包含入口、热化管道、被构造为在其中容纳液体试剂的液体容器和出口。用于在衬底表面上形成一种或多种III-V族半导体材料的沉积系统可以包含被构造为将前体经所述多个气体柱引导至衬底的一个或多个这样的热化气体注入器。

主权项

一种沉积半导体材料的方法，所述方法包括：使III族元素前体流过多个基本对齐的气体柱中的第一气体柱；使V族元素前体流过所述多个基本对齐的气体柱中的第二气体柱；引起衬底相对于所述多个基本对齐的气体柱的移动；和将所述衬底的表面依次暴露于所述III族元素前体和所述V族元素前体，以形成III‑V族半导体材料。