一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法。本发明公开了一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法，通过对氮化物薄膜表面在紫外光环境下进行照射处理，使得氮化物薄膜表面中游离的N元素下降，从而降低了对该氮化物薄膜进行光刻工艺时产生光阻残余概率，能有效避免光阻的失效。

主权项

一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法，在一衬底上形成有多个第一、第二半导体器件，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在第一、第二半导体器件所包含的第一、第二栅极结构及衬底上，淀积第一氮化物层；步骤S2：在He或Ar环境中采用紫外光对第一氮化物层进行照射处理后，采用光刻、刻蚀工艺，去除第二半导体器件上的第一氮化物层；步骤S3：在第二半导体器件所在的衬底及第二栅极结构上，依次淀积第二氮化物层，其中，所述第二氮化物层同时还覆盖剩余的第一氮化物层；步骤S4：在反应腔室内通入He或Ar气体，在紫外光环境下对第二氮化物层进行照射处理后，采用光刻、刻蚀工艺，去除剩余的第一氮化物层上的第二氮化物层。