一种改善刻蚀通孔工艺中刻蚀终点均匀性的方法

摘要

本发明提供了一种改善刻蚀通孔工艺中刻蚀终点均匀性的方法，包括，在一晶圆所包含的晶体管器件上由下至上依次覆盖一采用高纵宽比工艺形成的氧化物层、刻蚀阻挡层和硅氧化物层；在所述硅氧化物层多个位置，同时自上至下刻蚀所述硅氧化物层、刻蚀阻挡层，由于所述硅氧化物层与刻蚀阻挡层在刻蚀率上的差异，使刻蚀界面停在SiN薄膜上；之后，再继续刻蚀所述高纵宽比工艺形成的氧化物层并形成分别接触晶体管器件漏区或源区及栅极的通孔。本发明在高纵宽比工艺形成的氧化物层和TEOS硅氧化物层之间生长一层相对于硅氧化物层刻蚀速率较低的刻蚀阻挡层，其可有效暂停或放慢蚀刻速率，从而抵消或减小晶圆各部分由于刻蚀工艺各薄膜厚度差异，而引起的过刻蚀问题缺陷。

主权项

一种改善刻蚀通孔工艺中刻蚀终点均匀性的方法，在一晶圆所包含的晶体管器件上覆盖有一层第一氧化物层，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤一：在所述第一氧化物层上覆盖一层刻蚀阻挡层；步骤二：在所述刻蚀阻挡层上方生成一层硅氧化物层；步骤三：在所述硅氧化物层多个位置，同时自上至下刻蚀所述硅氧化物层、刻蚀阻挡层，由于所述硅氧化物层与刻蚀阻挡层在刻蚀率上的差异，使刻蚀停在SiN薄膜上； 步骤四：继续刻蚀所述第一氧化物层形成分别接触晶体管器件漏区或源区及栅极的通孔，期间，由于再次刻蚀的厚度较为均匀，有效避免或减小对栅极的过刻蚀的产生。