图像传感器中的光侦测器隔离

摘要

在n型硅半导体层中横向地邻近光侦测器的采集区和横向地邻近电荷转电压转换区安置浅沟槽隔离区。这些浅沟槽隔离区各自包括安置在硅半导体层中的沟槽和沿每个沟槽的内底部及侧壁安置的第一介电结构。在钉扎层之上形成第二介电结构。这些介电结构包括安置在氧化层之上的氮化硅层。仅沿沟槽的外面底部的一部分和沟槽的紧邻光侦测器的外面侧壁安置n型隔离层。沿沟槽的底部的其余部分和相对的外侧壁不安置n型隔离层。

主权项

一种包括具有多个像素的成像区域的图像传感器，其中至少一个像素包括：光侦测器，其包括安置在具有n导电类型的硅半导体层中的具有p导电类型的储存区；安置在所述硅半导体层中的横向地邻近所述储存区的第一浅沟槽隔离区，其中所述第一浅沟槽隔离区包括形成在所述硅半导体层中的沟槽，所述沟槽包括沿所述沟槽的内底部和侧壁安置的第一介电结构，其中所述介电结构包括安置在氧化物衬里层上的第一氮化硅层；以及具有所述n导电类型的隔离层，所述隔离层仅部分地沿所述沟槽的紧邻所述储存区的外底部和侧壁安置在所述硅半导体层中。