一种提高硅片金属层图形密度均一性的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种提高硅片金属层图形密度均一性的方法，在冗余金属填充时，通过在不同的空旷区域填充不同图形密度的金属，使曝光单元内各区域金属密度均一化，以达到在尽量降低金属连线耦合电容的情况下，实现理想的化学机械研磨平坦化效果。

主权项

一种提高硅片金属层图形密度均一性的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一包含有金属图形和空旷区域的版图上，根据填充工艺需求设定比较长度值d； 步骤S2：于距离金属图形大于d的空旷区域内填充图形密度为X的冗余图形； 步骤S3：进行步骤S2的同时，于距离金属图形小于或等于d的空旷区域内填充图形密度为Y的冗余图形。