| 发明名称 | 包括半导体芯片的器件的制造 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包括半导体芯片的器件的制造。一种方法，包括：提供半导体芯片，所述半导体芯片具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面。使用等离子体沉积方法将电绝缘材料沉积在所述半导体芯片的第一主表面上。使用等离子体沉积方法将第一导电材料沉积在所述半导体芯片的第二主表面上。 | ||
| 申请公布号 | CN102446837A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201110306014.2 | 申请日期 | 2011.10.11 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | I.尼基廷;H-J.蒂姆 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 刘春元;李家麟 |
| 主权项 | 一种方法，包括：提供半导体芯片，所述半导体芯片具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面；使用等离子体沉积方法将电绝缘材料沉积在所述半导体芯片的第一主表面上；以及使用等离子体沉积方法将第一导电材料沉积在所述半导体芯片的第二主表面上。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||