用于对晶片焊盘表面进行清洗的方法

摘要

本发明公开了一种用于对晶片焊盘表面进行清洗的方法，所述方法包括如下步骤：用含有氢氟酸的溶液对晶片进行清洗，以去除晶片表面的钝化层，露出焊盘；使用去离子水对所述晶片表面进行清洗；使用异丙醇溶液对所述晶片表面进行清洗；对所述晶片进行干燥。根据本发明的改进的对晶片焊盘的清洗方法，去除了晶片上残留的F离子，抑制了AlF3的生成，加强了焊盘抗拉强度和接合强度均匀性，提高了半导体器件的质量和良率。

主权项

一种用于对晶片焊盘表面进行清洗的方法，所述方法包括如下步骤：用含有氢氟酸的溶液对晶片进行第一次清洗，以去除晶片表面的钝化层，露出焊盘；使用去离子水对所述晶片表面进行第二次清洗；使用异丙醇溶液对所述晶片表面进行第三次清洗；对所述晶片进行干燥，其特征在于所述去离子水的温度为40℃～50℃，所述第二次清洗的清洗时间为40～50秒；所述焊盘的材料是铝。