集成深结深器件和浅结深器件的方法

摘要

在本发明提供了一种集成深结深器件和浅结深器件的方法，包括在基座上形成栅极蚀刻掩模层；通过蚀刻形成栅极，并使得栅极或栅极和蚀刻掩模层组合的厚度满足所在区域的结深器件注入离子时的要求；完成所述结深器件所需的离子注入；去除所述蚀刻掩模层。本发明借助栅极蚀刻掩模层，实现深结深工艺与浅结深工艺并存，整合了不同结深的器件到同一个工艺流程中。为特殊工艺的集成提供了更为广阔的应用空间。并且操作简便易行，成本低廉。

主权项

一种集成深结深器件和浅结深器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在基座上形成栅极蚀刻掩模层；步骤2，通过蚀刻形成栅极，并使得栅极或栅极和蚀刻掩模层组合的厚度满足所在区域的结深器件注入离子时的要求；步骤3，完成所述结深器件所需的离子注入；步骤4，去除所述蚀刻掩模层。