一种SRAM源漏极尺寸的光学临近修正建模方法

摘要

本发明公开了一种SRAM源漏极尺寸的光学临近修正建模方法，根据设计图形制作三块测试光罩：将测试用晶圆完成浅槽隔离工艺的整个流程，光刻时用第一光罩进行有源区图形的曝光；将测试用晶圆完成栅极工艺的整个流程，光刻时用第二光罩进行栅极图形的曝光；源极漏极光刻用第三光罩完成OPC模型测试结构的曝光，测试用晶圆制作完成；用制成的测试用晶圆进行模型数据的收集，完成后即可建立一个包含衬底信息的源极漏极光学临近修正效应模型。本发明通过建立OPC模型不同测试结构下的衬底模拟，使得收集的OPC模型数据更为精确。可以对源极漏极尺寸做到最精确的光学临近效应的修正和控制，保证光刻工艺获得足够大的工艺窗口和较少的缺陷。

主权项

一种SRAM源漏极尺寸的光学临近修正建模方法，其特征在于，包括：根据设计图形，制作三块测试光罩，分别为第一光罩，第二光罩和第三光罩，所述第一光罩用来模拟不同源极漏极测试结构下的有源区图形或者浅槽隔离区图形，所述第二光罩用来模拟不同源极漏极测试结构下的栅极图形，所述第三光罩用来曝光光学临近修正模型测试结构；将测试用晶圆完成浅槽隔离工艺的整个流程，光刻时用所述第一光罩进行有源区图形的曝光；将测试用晶圆完成栅极工艺的整个流程，光刻时用所述第二光罩进行栅极图形的曝光；源极漏极光刻用所述第三光罩完成所述光学临近修正模型测试结构的曝光，测试用晶圆制作完成；用制成的测试用晶圆进行模型数据的收集，完成后即可建立一个包含衬底信息的源极漏极光学临近修正效应模型。